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传英伟达煽动三星、SK 海力士竞争,压价HBM

集微网消息 据传,英伟达似乎故意煽动三星电子、SK 海力士彼此竞争,看看能否顺势压低高频宽记忆体(HBM)的价格。据国际报告显示,第三代的HBM3 DRAM报价自2023年以来已飞涨超过5倍。对英伟达来说,关键元件HBM报价上升,势必...

三星下周公布对美国投资440亿美元

凤凰网科技讯 北京时间4月12日,据外媒报道,三星电子公司准备最早于下周公布对美国芯片行业的440亿美元投资。此举旨在扩大三星在德克萨斯州泰勒市的芯片生产,预计这笔资金将用于建设四座新工厂,包括一座于2021年宣布的170亿...

三星电子会长李在镕访问蔡司总部,深化EUV光刻和先进半导体设备合作

IT之家 4 月 29 日消息,据三星官方新闻稿,三星电子会长李在镕于当地时间 26 日访问蔡司位于德国奥伯科亨的总部,并于蔡司 CEO 卡尔・兰普雷希特等就加强两家公司的合作进行了讨论。上图为李在镕(中)、兰普雷希特(左)与...

三星折叠屏手机将延续双平台战略

今年三星将带来新款折叠屏智能手机,包括Galaxy Z Fold 6和Galaxy Z Flip 6,预计会在7月推出。随着发布时间的临近,不断传出有关新机型的消息,包括机身设计和选择搭载的平台等。据Notebookcheck报道,三星打算延续Galaxy S24...

三星电子Q1营业利润近350亿元,同比大增931.87%,芯片业务扭亏为盈

三星电子还宣布将投资约594.38亿元用于基础设施投资。原标题:三星电子 Q1 营业利润 6.6 万亿韩元同比大增 931.87%,芯片业务扭亏为盈 IT之家 4 月 30 日消息,三星电子今日披露了第一季度财报数据:按合并财务报表口径计算的...

三星S21系列更新后翻车:屏幕惊现绿线

有两种解释,一种是认为三星屏幕存在硬件缺陷,另一种是手机更新过程中出现过热情况,导致排线与屏幕焊接点脱焊。

三星电子联席CEO据悉拜访台积电及云达,推广三星HBM

《科创板日报》16日讯,三星电子联席首席执行官庆桂显据悉拜访台积电及广达集团旗下云达。消息人士透露,庆桂显此行有两大任务,最主要是推广三星最新高频宽内存(HBM),其次是洽谈与台厂可能的AI合作,但并未涉及台韩晶圆...

三星宣布启动首批第九代V-NAND闪存量产

【环球网科技综合报道】4 月 23 日消息,三星半导体今日宣布,其第九代1Tb TLC V-NAND闪存已开始量产。三星电子闪存产品与技术主管SungHoi Hur表示:“我们很高兴推出三星首款第九代V-NAND产品,这将为未来应用的飞速发展提供...

三星半导体,落后原因揭秘

三星竞争力的下降不仅限于存储芯片。三星电子曾经在果断领导层的推动下勇往直前,现在发现自己落后于包括苹果和台积电在内的竞争对手,因为高级管理层回避风险。一位在这家韩国企业集团负责研发的人员无法忘记去年秋天一位直接...

三星电子提高闪存晶圆产能 今年内不会进一步提高

如果按照最高水平运转,三星电子的NAND闪存生产线每年将可以制造超过200万片晶圆。