镁光好还是海力士的好

芯片需求大爆炸!SK海力士Q1业绩“炸裂”还要豪掷150亿美元建厂

首席运营官 Kim Woo Hyun 在财报电话会议上表示,对企业级固态硬盘的需求帮助 SK 海力士的 NAND 业务在第一季度恢复盈利。他表示,2024 年的投资将略高于年初的计划,其中大部分支出将集中在高利润产品和基础设施上,以实现...

HBM需求激增提振业绩 SK海力士Q1营收创2010年以来最快同比增速

SK海力士的竞争对手 三星电子 本月早些时候公布的初步数据显示,营业利润约为6.6万亿韩元(约合49亿美元),同比大增931.3%,高于分析师预期为5.37万亿韩元,结束了自2022年第三季度开始的连续季度下滑。此外,美光科技(MU.US)在...

挣疯了的SK海力士,再建一座DRAM工厂

SK海力士跟三星有望2024年从2023年的谷底彻底翻身,并达到创纪录的50%获利率。

这够用了吗!SK海力士突然宣布300TB容量SSD

快科技5月4日消息,SK海力士突然宣布了300TB容量的SSD,这在行业还是首次。SK海力士在韩国首尔举行的新闻发布会上透露,该公司正在开发容量前所未有的300TB固态硬盘。在SK海力士看来,开发300TB的SSD很有必要,因为AI时代全球...

SK海力士:明年的HBM内存都快被预定完了

集群用地建设进展顺利,SK海力士的首座工厂将入驻的第一阶段用地建设工程进展率约为42%,正在顺利进行中。龙仁集群内SK海力士第一座工厂将于2025年3月开工,预计在2027年5月竣工。同时,集群将投入约9000亿韩元,建设迷你工厂...

SK海力士正在测试低温蚀刻设备:可在-70℃低温下生产闪存

目前,SK海力士的321层3D NAND采用了三重堆栈结构。而采用东京电子的新设备后,该公司可能实现以单堆栈或双堆栈的方式构建400层的3D NAND,这将进一步提升生产效率。然而,这一目标的实现还需等待新设备在可靠性及性能一致性...

消息称英伟达“煽动”三星与SK海力士之间的竞争,以降低HBM价格

IT之家 5 月 5 日消息,当地时间周五,据韩媒 Business Korea 援引分析师消息称,英伟达正在刺激三星电子与 SK 海力士之间的竞争,这两家企业当前正处于 HBM(IT之家注:高带宽内存)市场的“头部”地位。在三星电子宣布要加强...

SK海力士将采用全新刻蚀设备,在零下70度制造400层以上3D NAND

SK海力士的321层3D NAND产品据说采用了三层堆叠结构。随着东京电子新低温蚀刻设备的采用,将使得在单堆叠或双堆叠中构建400层3D NAND器件成为可能,这也意味着更高的生产效率。未来超过400层的产品是否会过渡到单层或双层的...

SK海力士内存产品提价约15%-25%,下半年涨幅趋缓

SK海力士LPDDR5/LPDDR4/NAND/DDR5等DRAM产品,均有15%-20%的提价。供应链人士表示,“海力士DRAM产品价格从去年第四季度开始逐月上调,目前已累计上涨约60%-100%不等.

SK海力士开发ZUFS 4.0 使用寿命暴增Q3量产

SK海力士表示,已开发出Zoned UFS(ZUFS)4.0闪存,并将于第三季度开始大规模量产。相比此前的UFS闪存,ZUFS启动快45%,使用寿命提高40%。SK海力士表示,已开发出Zoned UFS(ZUFS)4.0闪存,并将于第三季度开始大规模量产。...